作者:THOR 西安 2006年08月15日10:23【转载】

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十八个月过去，我们再谈DDR2应用与超频 

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DDR2 SDRAM，大势所趋

在Intel把x86 PC系统内存转移到DDR2 SDRAM内存上十多个月之后，AMD终于也从善如流的把K8架构处理器加入了支持DDR2 SDRAM内存的Socket AM2版本，至此业界的高性能/主流PC系统已经全部基于先进的DDR2 SDRAM构建，DDR2 SDRAM能够提供给CPU远比DDR SDRAM充沛的数据带宽，并且内存的运行发热和功耗也远低于DDR SDRAM。

笔者曾经在去年一月所写的文章《冲击DDR2-800！DDR2内存模组超频全面研究》内预测“也许DDR2 SDRAM和DDR SDRAM之间的价差需要整个2005年的时间来缩短至10%以内，甚至时间更长，2006年AMD也将推出内置DDR2内存控制器的处理器，届时DDR SDRAM将处于目前SDRAM的位置，DDR2 SDRAM会如日中天。”按照目前的状况看，DDR2 SDRAM内存的应用环境比我们估计的还要乐观，以主流的DDR2-533/667 SDRAM和DDR 400 SDRAM相比较，今年第一季度时前者就已经比老旧的DDR SDRAM价格更低，在Socket AM2 K8处理器上市、Socket939处理器大面积停产之后，DDR SDRAM市场进一步萎缩，DDR2 SDRAM已经不是发烧、高价的代名词，而是从入门级到高端全面占据了市场。时隔十八个月之后，笔者将在再一次对DDR2 SDRAM内存的应用进行研究和测试，本文所要讨论的内存模组都是限定在标准的240pin Unbuffered DIMM范围内。

DDR2 SDRAM的特点

作为DDR内存新一代技术革新的产物，DDR2内存具有更高速，更大带宽，更低电耗以及更好的散热性能等特点；DDR2 SDRAM已经进入PC系统两年之久，它所具的优势我们已经耳熟能详。

首先，它是DDR SDRAM的换代产品，在基本架构方面和DDR SDRAM类似，最大变化在于引进了4bit Prefetch（数据预取架构）来改善内存运行频率。 具体实现的方式是用两倍于DDR SDRAM内存的数据预取架构来增强存储单元并行运行能力，在提供相同传输速率的同时降低了存储单元的运行频率，和DDR400内存的200MHz存储单元运行频率相比，DDR2-533内存的存储单元仅运行在133MHz，由于存储单元的频率很难在往上提升，因此DDR400达到了大规模因应用的极限，而DDR2还可以提升存储单元频率来提高DRAM输出频率，最终改善整个内存模组能够提供的带宽，比如现在最新的高性能DDR2 SDRAM规格DDR2-800，其存储单元的运行频率仅和DDR 400的200MHz相当，上升空间仍然存在。

然后、DDR2 SDRAM使用ODT (On-Die Termination)设计，即内建终结电阻。终端暂存器(termination register)就实现在该DRAM晶片之中，可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器，简化了主板设计，降低设计制造成本。DRAM控制器可以为每个讯号设定终端暂存器的开或关，这些讯号包括数据I/O、差分数据选通讯号和写数据屏蔽。利用ODT就不需要Vtt产生器或Rtt电阻，而且能降低多重反射，提高信号完整性并增加时序裕量。

此外，DDR SDRAM还应用前置CAS和附加延迟，在一个前置CAS作业中，一个CAS讯号(读/写命令)可以在RAS讯号输入之后成为下一个时脉的输入。该CAS指令可以在DRAM一侧保持，并在附加的延迟(0、1、2、3和4)之后执行。这样简化了控制器设计，因为它可以避免指令通道上的冲突。而且，采用一个简单的指令序列还可以提高指令和数据通道的效率。由于在读/写指令之间不存在气泡（bubble)或空隙周期，因此实际的内存带宽也得到提高。

所有的DDR2 SDRAM内存均采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array：细间距球栅阵列）封装，减少尺寸并提高高频作用下的信号稳定性，这种技术的一个变体是新型的sFBGA（堆迭式FBGA），它增加了各模组之间的空气流动空间因而提高了热性能和可靠性。典型的DDR2 SDRAM内存DIMM模组有240pin，仅为1.8V的工作电压远低于DDR SDRAM的2.5V/2.6V，这使DDR2有大幅低于DDR SDRAM的功耗和发热量。

和DDR内存相比DDR2的缺点在其CAS Latency（内存CAS延迟时间）支持3、4、5设定，比DDR的2、2.5、3来得慢。在这样的前提下最优化时序的DDR2 SDRAM内存模组比同样优化的同频率DDR SDRAM内存模组比较会在内存带宽上处于劣势，而这样的情况在目前PC主流应用会比较普遍，因此Intel和AMD在桌面芯片组 和CPU内置的内存控制器上都支持DDR2-533以上的内存速度搭配以改善性能，Intel刚刚发布的1066MHz FSB处理器Core 2 Duo更将把DDR2的频率优势发挥出来。

DDR2 SDRAM的进展

JEDEC认证了DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DDR2-800四种DDR2 SDRAM规格，这几种内存速度规格都得到了逻辑芯片组和处理器的全面支持，特别的，部分芯片组还能够在超频之后支持DDR2-1066以上的内存规格，在某些DRAM制造商和模组制造商的配合下，这种DDR2-1000以上的平台应用已经逐渐在顶级DIY玩家群体中展开。

这其中不得不提到重量级DRAM制造商镁光（MICRON），这家厂商的内存芯片无疑是目前DDR2 SDRAM产品中最令人激动的，从早期的制造工艺落后但超频性能强悍的“Fatboy”D9内存芯片开始，MICRON芯片一直占据着DDR2 SDRAM超频的顶尖位置，包括上图CORSAIR XMS2 DDR2-1066内存模组在内的无数顶级超频品产品，都是基于MICRON D9内存芯片制成的。

“Fatboy”D9昵称的由来是其110纳米制造工艺导致的芯片体积，然而先进工艺=更好性能的惯例此次被打破，这种样子夸张的内存芯片对工作电压的提高有极好的正面反馈，2.4V以上工作电压的“Fatboy”D9芯片内存模组有很多可以把内存时序调节到3-2-2（DDR2 SDRAM支持的最快时序）并且工作在DDR2-800以上的频率上，如果是4-3-2设定，这些怪物突破DDR2-1000频率也不是难事，要知道这是在04、05年生产的DDR2-400/533内存芯片上实现的，其他厂商的DDR2 SDRAM内存芯片的超频能力根本无法望其项背。

在MCIRON把内存芯片制造工艺改进到90纳米之后较长一段时间，这些新工艺的芯片都无法达到“Fatboy”D9的超频能力，直到最近两个季度的新品D9芯片，MICRON再一次让玩家疯狂，编号为D9GMH、D9GCT、D9GKX等的新一代内存芯片在保持接近“Fatboy”D9低时序能力和对电压敏感的前提下，把4-4-4时序下的频率上限提高到了DDR2-1100附近！而极限运行频率更达到约1200MHz！能实现如此超频目标的芯片本身规格仍旧是DDR2-533/667。

和这些让人兴奋的DDR2 SDRAM内存模组产品相比，DDR2 SDRAM内存应用平台的状况则是喜忧参半。

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DDR2超频平台之Intel Socket 775：稳扎稳打的惬意 

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以ASUS P5WD2-E Premium为代表的Intel 975X Express芯片组主板仍然是目前最优秀的DDR2 SDRAM内存模组超频平台，它能够提供均一的内存超频稳定性，BIOS中的超频选项强大全面，配合经过验证可以稳定超频至4.2GHz运行的Pentium4 Extreme Edition 3.73GHz处理器，我们将在14倍频设定下挑战DDR2-1100甚至更高。

以1066MHz FSB处理器为例（超频到1066MHz一样可以），P5WD2-E Premium将提供533MHz--1:1、667MHz--5:4、711MHz--4:3、800MHz--3:2、889MHz--5:3、1066MHz--2:1这六种Memory:CPU频率比例设定，值得一提的是，P5WD2-E Premium强于上次我们内存测试使用的P5AD2-E Premium（925XE Express芯片组），它能够在所有Memory:CPU频率比例上提供大致相同的内存超频能力，即是说，我们使用3:2或者是2:1设定，内存模组能够达到的频率上限差不多，差距不会超过10MHz，这给我们测试带来了极大的方便，以上面所述处理器的能力，此次测试的Intel平台可以完成1200MHz FSB设定即DDR2-1200最高的DDR2内存模组超频验证。

P5WD2-E Premium支持最高2.4V的内存模组电压设定，同时还支持MCH、FSB Termination的电压调节，能够给超频内存提供足够多的支持，通常在使用超过DDR2-1000规格的内存模组时，也需要适当调高MCH、FSB Termination的工作电压以保持MCH内存控制器的稳定。

使用P5WD2-E Premium超频内存是很惬意的过程，由于主板硬件和BIOS设计优秀，在长时间尝试不同时序下不同内存的工作频率上限过程里，以P5WD2-E Premium为基础的系统从未真正罢工过，超频失败后只需重启，主板BIOS会自动加载CPU CPUID和内存模组SPD信息启动，直接进入下一次的超频与调节，完全不必去跳线清空BIOS设定，一系列重新设定BIOS的过程也因此不再需要，大大节省了时间并也给超频者带来较为快慰的超频体验。

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DDR2超频平台之AMD Socket AM2：噩梦何时终结 

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Socket AM2方面笔者使用基于nVIDIA nForce 590 SLI MCP芯片组的最新主板ASUS M2N32-SLI Deluxe，它配置nForce 500系列中顶级的C51XE+MCP55P XE双芯片组合，支持PCI Express x16 SLI。M2N32-SLI Deluxe配置有强悍的8相CPU供电电路和热管散热系统，将有效支撑高频率的Socket AM2处理器和顶级内存的全速运行以及超频。它是第一批问世的nForce 500系列主板，但BIOS部分提供了足够多的超频功能，包括最高2.5V的内存工作电压和芯片组电压调节、HyperTransport频率调节，这一切看起来都很好。

麻烦来了......在任何时候，M2N32-SLI Deluxe也提供类似的DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DDR2-800内存模式，似乎我们也可以直接计算出Memory:CPU的运行比例开始超频，然而事实并非如此，AMD不遗余力的在Socket AM2上引入了一套超级奇怪的内存运行方式。DDR2 SDRAM在Socket AM2系统上的运行方式由三个因素决定，它们是CPU的频率、CPU的倍频和设定的DDR2运行模式，也许我们用一张表单来表述会更好理解些：

CPU频率	CPU倍频	CPU频率：内存频率
		DDR2-400	DDR2-533	DDR2-667	DDR2-800
1000MHz	5	5	5	5	5
1200MHz	6	6	5	5	5
1400MHz	7	7	6	5	5
1600MHz	8	8	6	5	5
1800MHz	9	9	7	6	5
2000MHz	10	10	8	6	5
2200MHz	11	11	9	7	6
2400MHz	12	12	9	8	6
2600MHz	13	13	10	8	7
2800MHz	14	14	11	9	7
3000MHz	15	15	12	9	8

就是这样，以我们使用的Athlon64 FX-62处理器为例，它的默认频率为2.8GHz，默认倍频为14，那么当用户在BIOS中把内存设定为DDR2-400时，计算内存的运行频率就是2800MHz/14=200MHz即DDR2-400，这是正常的；然后我们再把内存设定在DDR2-533模式，2800MHz/11=255MHz，这得出了DDR2-510，这并不是我们想要的DDR2-533。

事实上，AMD的Socket 939/754处理器也是使用这样的计算方式运行的，只是DDR-400刚好能够和CPU频率/倍频配合设定完好，而开发Socket AM2的DDR2内存控制器时，JEDEC复杂的DDR2-533/667规格让CPU频率/倍频（整数）规则无所适从，而 改进成和Intel MCH那样的固定Memory:CPU内存比例设计显然要全盘推翻早先的DDR SDRAM内存控制器设计，成本和时间都不允许，于是带有诡异内存频率运行规则的Socket AM2处理器诞生了，上面那张表单AMD方面不曾提供，也未向最终用户做任何解释，所以难免会让那些诸如购买了Athlon64 3500+和DDR2-800内存的用户发现自己的内存运行在DDR2-733而恼火，如果他并不深谙此道。

因此在后面的超频测试中，我们使用10倍频运行Athlon64 FX-62，对应的内存运行除数分别是10、8、6、5，以2000MHz为准四个内存模式分别可以得到DDR2-400、DDR2-500、DDR2-667和DDR2-800， 四种设定的3/4部分准确；同时以Athlon64 FX-62的2800MHz标准运行频率计算，至少可以支持2800MHz/5=560MHz即DDR2-1120的测试需求。

如果仅仅是这样，那么事情还不算太糟，经过摸索我们能够得出规律，然而Socket AM2 K8处理器内存控制器的“威力”还不仅仅如此。在测试中笔者很快发现大多数在975X Express主板上跑得飞快的DDR2 SDRAM内存模组和Socket AM2 K8处理器配合不良，别说超频，甚至连SPD标称值都很难实现。当然首先受到怀疑的是这块M2N32-SLI Deluxe主板，然而经过更新BIOS和尽可能广泛的在一些其他Socket AM2主板上取证之后，得出的结论是Socket AM2处理器本身的问题，至此我们不难理解为什么当初AMD发布Socket AM2处理器的时候特别的推荐了和它们一同进行研发验证的CORSAIR内存模组，后面的测试证实了并非是CORSAIR能够和Socket AM2配合得更好，而是其它的内存和Socket AM2的配合太糟糕了，不过既然是Socket AM2处理器迟于这些DDR2内存模组上市，这个问题该归罪于谁呢？

M2N32-SLI Deluxe本身的表现还是值得肯定的，但是这款产品的BIOS设计不如P5WD2-E Premium稳健，大约60%的内存超频失败需要清空BIOS才能继续，这也使实际工作量是Socket775平台两倍的Socket AM2测试实际耗时达到了前者的三倍还多，综合以上因素，在Socket AM2平台上测试DDR2内存超频的感受如同噩梦。

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测试平台详情与测试软件相关 

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测试平台

测试软件相关

测试内容和设定

--> 我们收集了11种1GB*2 DDR2 SDRAM内存模组进行测试，测试的重点在于超频，内容将力求给读者带来这些DDR2内存的最优化运行状态，更低容量的产品不在此次测试中出现。具体的超频设定根据内存可达到的频率选择内存运行比例和模式，同时CPU运行频率不超过可稳定运行的上限、芯片组电压适当增加以保证CPU和芯片组不会在稳定性测试中造成干扰。

--> 超频测试部分包含内存模组在3-3-3-8/4-4-4-12/5-5-5-15三种时序设定下的稳定运行频率上限，Socket AM2平台还区分1T/2T Timing设定，分别测试1.8V标准工作电压和2.4V（2.2V）工作电压，所有的超频测试均以系统通过3200万位SuperPI测试为成功基准。

--> 性能测试部分包含了两个平台共三款处理器在内存模组不同频率/时序设定下的比较，这一部分的测试统一使用WINTEC AMPX DDR2-1000 1GB*2内存模组以双通道模式下进行。

--> Core 2 Duo的测试使用ASUS最新符合VRM11规格的975X Express主板P5W DH Deluxe完成，它的性能以及BIOS设计和P5WD2-E Premium大致相同。

--> ASUS主板所特有的内存加速技术HyperPath以及显卡加速技术PEGLink均设定为关闭。

影响内存性能的因素

影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

CAS Latency，内存CAS延迟时间。

RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。

Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的For Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。

内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“3-3-3-8”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“4-4-4-12”更高的内存性能，但具体是频率还是时序对目前的处理器平台更有影响，还要在接下来的测试中验证。

内存模组和芯片组/CPU的内存控制器调节事实上还存在非常多的可调整项目，然而这些部分对于性能的影响和本身的意义并不是绝大多数用户和一般技术人员所能理解的，在测试中，除了内存交错技术开启之外，其它部分均设定为默认值AUTO。

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ADATA Vitesta Extreme Edition DDR2-800 1GB 

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产品介绍

早先笔者曾测试过威刚科技（ADATA）Memory Expert系列的DDR2-800内存模组，但在中国大陆市场行销的威刚内存模组还是仅限于ADATA Vitesta“红色威龙”系列和VDATA“万紫千红”系列。而本次测试的 Vitesta Extreme Edition产品，已经在市场上可以买到，Extreme Edition后缀再次突出了DDR2-800内存的高端定位。

红色铝质外壳仍是Vitesta内存模组的招牌外观，这种金属片能够给内存芯片提供一些抗物理冲击方面的保护和散热增强（如果中间的导热介质够好的话）。这是两根non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2 SDRAM内存模组，从侧面观察可以发现它们都是双rank配置，出于焊接脆弱的FBGA封装内存芯片的安全考虑，尝试了解芯片详情的计划被取消，笔者将不会拆卸它以及其他模组的金属外壳。

产品标签上标明了模组型号、编号、速度和标准CAS延迟，还有内存芯片的组织方式。

SPD信息内模组容量、速度、制造商名称部分完整准确，缺少产品型号、产品编号和生产日期。DDR2-533下的模组时序为3-4-4-12，DDR2-667为4-5-5-15，最后一列DDR2-800则为5-5-5-18。这款模组在DDR2-533/667下的默认时序相当不错，对性能影响最关键的CL值分别为3和4。

超频能力

Vitesta Extreme Edition DDR2-800 1GB内存模组在两个平台上均能在1.8V电压下达到其标称频率运行，3-3-3-8优化时序设定的运行频率在DDR2-533和DDR2-667之间，5-5-5-15劣化时序设定的运行频率上限在DDR2-900附近，这款产品在nForce 590 SLI平台的1T Timing设定下表现一般。

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Apacer DDR2-800 1GB 

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产品介绍

　

宇瞻（Apacer）的内存模组产品目前没有级别划分，早先的“黑豹”品牌也淡出了市场，所有规格的产品都统一标称Apacer。他们送测的两根内存模组是non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2 SDRAM型DDR2-800，双rank配置16枚内存芯片，非ECC模组型PCB设计，使用带有Apacer Logo的墨绿色6层PCB制造，工艺精湛。

Apacer风格标签明示这款模组的制造工艺和用料不含铅，其上提供基本的容量、速度和CAS延迟标注，每根模组有数字唯一的P/N产品编号。

Apacer DDR2-800 1GB内存模组使用了来自Samsung的内存芯片，芯片编号为K4T51083QC ES，512Mbit规格，64Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。K4T51083QB ES使用60pin FBGA封装，芯片为工程样品，速度和标准延迟未知，它的I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。

SPD信息中的产品编号和生产日期部分则被置于最大值，模组容量、速度、制造厂商信息正确，缺少产品型号。内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-12，DDR2-533时是4-4-4-11，DDR2-800为5-5-5-23而DDR2-667未注明。

超频能力

	3-3-3-8	4-4-4-12	5-5-5-15
on P5WD2-E Premium
1.8V	DDR2-550	DDR2-800	DDR2-840
2.4V	DDR2-550	DDR2-860	DDR2-920
on M2N32-SLI Deluxe
1.8V、1T	DDR2-533	DDR2-667	DDR2-720
1.8V、2T	DDR2-533	DDR2-733	DDR2-783
2.4V、1T	DDR2-550	DDR2-667	DDR2-720
2.4V、2T	DDR2-550	DDR2-733	DDR2-790

Apacer DDR2-800 1GB内存模组在975X平台上的超频表现良好，增加工作电压能够让它工作在DDR2-900以上，1.8V默认电压也可以设定为DDR2-800的4-4-4-12时序；但这款产品在nFocre 590 SLI平台上运行不佳，对增加电压不敏感，并且无法运行在DDR2-800或以上的频率，低于标称速度。

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CORSAIR XMS2 PRO DDR2-800 1GB 

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产品介绍

带有内存工作状态显示指示彩灯的海盗船（CORSAIR）XMS2 PRO系列内存是本次测试中外形最酷的产品，指示灯在内存开始工作的时候亮起，由绿到红是从空闲到满载的过渡，当你的PC在正常运行的时候，这些LED会不停的闪烁，它能够给透明侧板机箱的整体效果提色不少。

这是一对双rank配置的non-ECC unbuffered 240pin DDR2 SDRAM内存模组，单根1024MB容量，DDR2-800规格。由于CORSAIR使用粘合剂固定了外壳，我们无法看到内存芯片和PCB的实际状况，但透过边缘处仍然可以观察到双面16颗的芯片配置。

和普通的内存模组相比，XMS2 PRO系列产品看起来要复杂一些，它带有体积庞大的银色金属外壳，外壳不但起到了散热、保护芯片的作用，还是XMS2 PRO最特殊容器，隐藏在两片外壳之间，模组顶端，是PRO系列内存独有的内存状态指示灯。

产品标签信息非常全面，包含了模组型号、版本号、速度、容量和4位标准延迟，还有每根唯一的产品编号，不过我们在使用内存的时候要小心一些，这些印刷容易掉色，手指用力就能够擦掉它们。

SPD信息中模组容量、速度、制造商、产品型号部分完整准确，缺少产品编号和出厂日期。在时序表中仅包含两列设定，它们是DDR2-540下的4-4-4-13和DDR2-800下的5-5-5-18，DDR2-533/667的时序没有设定。

超频能力

XMS2 PRO DDR2-800 1GB内存模组的超频性能相当不错，以1.8V的标准工作电压可以在两个平台的4-4-4-12时序设定运行DDR2-800以上的频率，甚至在975X平台上超过DDR2-1000。增加工作电压对这款产品来讲是很有效果的，2.4V时它们可以在975X上达到DDR2-1040，在nForce 590 SLI的2T Timing上实现DDR2-970；这对漂亮的内存模组唯一的遗憾是3-3-3-8最优时序表现一般以及1T Timing无法在nForce 590 SLI上达到DDR2-800的标称。

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GeIL DDR2-800 1GB 

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产品介绍

　

金邦（GeIL）的高性能内存模组通常安装有金属外壳并称做白金版，不过这次送测的两根DDR2-800 1GB内存模组属于主流产品的千僖条系列，样式并不豪华。GeIl DDR2-800 1GB也是non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2 SDRAM，显而易见的双rank配置16枚内存芯片，非ECC模组型PCB、6层板设计。这款产品的标签仍然沿用TSOP封装芯片时期的大尺寸设计，现在贴在小巧的FBGA封装芯片上不够牢固，很容易不小心碰掉，用户应该留意不要让标签丢失而导致失去质保。

按照惯例，GeIL的产品标签分成两个部分，它们共同提供了内存模组的型号、容量、速度和CAS标准延迟，同时也有每根唯一的产品编号。

内存芯片表面的标识被刻成GeIL自己的Logo和编号，无法了解原本DRAM制造商提供的信息，而在缺乏明显外部特征的FBGA封装芯片上判断其身份，远比TSO封装芯片时期难，除了名噪一时的MICRON “Fatboy” D9。

SPD信息提供了模组容量、速度、制造厂商和产品型号信息，缺少产品编号，而生产日期则显然出了错（未来制造？）。时序表部分准确正规，内存模组在DDR2-533下的时序为3-4-4-12，DDR2-667时是4-4-4-14，DDR2-800为5-5-5-17，DDR2-533/667下的设定很不错。

超频能力

	3-3-3-8	4-4-4-12	5-5-5-15
on P5WD2-E Premium
1.8V	DDR2-533	DDR2-750	DDR2-980
2.4V	DDR2-550	DDR2-750	DDR2-980
on M2N32-SLI Deluxe
1.8V、1T	DDR2-500	DDR2-667	DDR2-750
1.8V、2T	DDR2-500	DDR2-767	DDR2-840
2.2V、1T	DDR2-515	DDR2-700	DDR2-750
2.2V、2T	DDR2-583	DDR2-767	DDR2-840

GeIL DDR2-800 1GB内存模组在两个平台上的超频水准相对均衡，需要注意的是它们对提高工作电压并不敏感，在nForce 590 SLI平台的2.4V设定下甚至可达的运行频率更低，因此在nForce 590 SLI上改用2.2V电压，后面的部分内存模组也体现出了同样的特性，均采用上面的方式处理。这款产品的亮点是可以在1.8V标准电压下以1T Timing DDR2-840在nForce 590 SLI平台上运行，这是难得的水平，而小小遗憾是在975X平台上它们没能够突破DDR2-1000。

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G.SKILL DDR2-1000 1GB 

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产品介绍

超频型内存模组制造商芝奇（G.SKILL）是近年新近崛起的品牌，但其产品气势逼人，迅速抢进了全球顶尖超频玩家的PC系统内，这跟其研发团队紧跟超频潮流推出产品有很大关系。这对后缀为“HZ”的DDR2-1000 1GB内存模组是此次测试中收到的最强标称规格产品，根据其标称值，它们可以在DDR2-1000频率下，以4-4-4-5的时序设定运行，虽然此时要求的工作电压高达2.2V-2.3V，但这仍然是其他很多产品根本无法企及的水平。

G.SKILL在它最顶级的产品上使用了酷酷的亚光黑色金属外壳，甚至连固定卡扣也是黑色，配合正面的银色凸文“G.SKILL”Logo，整体外观效果不俗。这款产品依然是non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2 SDRAM规格，双面16枚内存芯片双rank配置，绿色6层板PCB，撕掉便失去质保的产品标签贴在外壳卡扣上，显然是杜绝用户进行拆卸外壳的危险动作，不过根据G.SKILL提供的信息，这款产品使用的内存芯片是经过特殊筛选的MICRON新D9颗粒。

产品标签提供了内存模组的型号、容量、速度和4位标准延迟，同时也有每根唯一的S/N产品编号。

SPD信息仅仅有模组容量、速度和制造厂商的信息，其他部分空置。时序表部分G.SKILL自信的仅保留了DDR2-1000下4-4-4-5的信息。这对DDR2-1000显然仅针对超级玩家设计，不包含任何JEDEC标准频率的时序表特征在不支持内存调节而只能by SPD的主板上的实际运行模式将无法预测。

超频能力

	3-3-3-8	4-4-4-12	5-5-5-15
on P5WD2-E Premium
1.8V	DDR2-780	DDR2-960	DDR2-1040
2.4V	DDR2-850	DDR2-1060	DDR2-1080
on M2N32-SLI Deluxe
1.8V、1T	DDR2-525	DDR2-525	DDR2-550
1.8V、2T	DDR2-683	DDR2-840	DDR2-860
2.4V、1T	DDR2-550	DDR2-550	DDR2-570
2.4V、2T	DDR2-860	DDR2-870	DDR2-880

G.SKILL DDR2-1000 1GB内存模组在两个平台上的超频能力相差巨大。在975X平台上，这款产品的表现十分优秀，无论是3-3-3-8的优化时序还是5-5-5-15的最劣时序设定，在两种工作电压下都可以以相当高的频率运行，其3-3-3-8的可操作频率竟然高达DDR2-850！然而另一方面在nForce 590 SLI上，G.SKILL DDR2-1000的1T Timing设定超频成绩让人跌镜，甚至不能超过DDR2-600，好在2T Timing设定下的强悍表现还挽回一些顶级内存的颜面，不过仍然无法达到其标称值的水平。

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KEYRAM DDR2-800 1GB 

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产品介绍

　

麒仑（KEYRAM）是近年涌现出的众多最新内存模组商之一，这是这个品牌的内存第一次在我们评测室亮相，送测产品为高规格的DDR2-800 1GB内存模组。如我们所见它们是一对non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2 SDRAM，16枚内存芯片双rank配置在非ECC模组型PCB上，用料和做工都还不错。像许多成熟的市售内存模组一样，KEYRAM的产品上带有防伪查询标签，给人第一印象不错。

KEYRAM的产品标签上注明了产品容量、速度和每根唯一的产品编号，虽然更多的信息并没提供，但却标有800热线服务电话的号码。

内存芯片表面的标识被刻成KEYRAM自己的Logo和编号，芯片本身的真实信息无从得知。

SPD信息缺失较多，能够得到的信息仅包括模组容量和速度，其他部分未注明。时序表部分则较相对正规，内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-8，DDR2-533时是4-4-4-11，DDR2-800为5-5-5-16，DDR2-667下的设定未提供。

超频能力

	3-3-3-8	4-4-4-12	5-5-5-15
on P5WD2-E Premium
1.8V	DDR2-533	DDR2-825	DDR2-833
2.4V	DDR2-533	DDR2-825	DDR2-833
on M2N32-SLI Deluxe
1.8V、1T	DDR2-460	DDR2-480	DDR2-480
1.8V、2T	DDR2-550	DDR2-612	DDR2-612
2.2V、1T	DDR2-600	DDR2-633	DDR2-650
2.2V、2T	DDR2-667	DDR2-682	DDR2-682

KEYRAM DDR2-800 1GB内存模组在975X平台上能够小幅超越其标称设定，其中1.8V标准电压下的4-4-4-12时序DDR2-825操作能力是本产品的亮点，但是在975X平台上，提高电压对这款产品没有任何超频方面的改善。KEYRAM DDR2-800 1GB在nForce 590 SLI上加压超频同样需要设定在2.2V上，各个时序下的频率上限较为接近，然而并不能达到DDR2-800的产品标称。

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MAKWAY DDR2-800 1GB 

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产品介绍

来自香港的品牌迈威（MAKWAY）也是内存模组领域的新生力量，它在03年开始进入这个领域。MAKWAY送测了一对non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2-800 SDRAM内存模组，双rank规格，16片内存芯片贴装于PCB正反两面，非ECC模组型PCB设计。

产品标签注明了内存模组的型号、容量、速度、4位标准延迟和生产日期，比较全面。

内存芯片表面的标识被刻成MAKWAY自己的Logo和编号，无法了解原本DRAM制造商提供的信息。

SPD信息并不完整，能够得到的仅包括模组容量和速度，其他部分未注明。时序表部分则较相对正规，内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-8，DDR2-533时是4-4-4-11，DDR2-800为5-5-5-16，DDR2-667下的设定未提供。

从模组外观、芯片状况以及完全相同的SPD信息判断，MAKWAY这款DDR2-800 1GB内存模组跟前面的KEYRAM产品应该是出自同一制造商的同型号OEM，而接下来的超频结果也验证了这种推测。

超频能力

	3-3-3-8	4-4-4-12	5-5-5-15
on P5WD2-E Premium
1.8V	DDR2-533	DDR2-825	DDR2-833
2.4V	DDR2-583	DDR2-833	DDR2-850
on M2N32-SLI Deluxe
1.8V、1T	DDR2-460	DDR2-500	DDR2-480
1.8V、2T	DDR2-550	DDR2-612	DDR2-612
2.2V、1T	DDR2-600	DDR2-633	DDR2-650
2.2V、2T	DDR2-630	DDR2-667	DDR2-667

MAKWAY DDR2-800 1GB内存模组在两个平台上的表现和前面所述的KEYRAM产品几乎相同，只是在少部分项目中有小幅度的差异。这款内存模组在nForce 590 SLI上加压超频也需要设定2.2V工作电压。

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PNY DDR2-667 1GB 

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产品介绍

PNY是活跃于欧美市场的PC配件产品零售商，产品涉及PC板卡等领域，也包括内存模组，这家厂商进入中国大陆市场时间不久，他们送测的是DDR2-667 1GB产品，如图所示，为一对non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2-667 SDRAM内存模组，内存的16片芯片贴装于PCB正反两面，非ECC模组型PCB设计成双rank规格。

产品标签注明了内存模组的型号、容量、速度和每根唯一的S/N编号，但缺少标准运行延迟信息。

内存芯片表面只能看到PNY的Logo和和修改过的型号，无法了解原本DRAM制造商提供的信息。

这款产品的SPD信息内容很少，仅标注出了模组容量和速度，制造商等其他部分信息未注明。内存时序表部分设定完整，内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-9，DDR2-533时是4-4-4-12，DDR2-667为5-5-5-15，为市场大多数产品的主流水平。

超频能力

	3-3-3-8	4-4-4-12	5-5-5-15
on P5WD2-E Premium
1.8V	DDR2-533	DDR2-711	DDR2-800
2.4V	DDR2-550	DDR2-900	DDR2-1020
on M2N32-SLI Deluxe
1.8V、1T	DDR2-550	DDR2-590	DDR2-590
1.8V、2T	DDR2-550	DDR2-590	DDR2-600
2.2V、1T	DDR2-625	DDR2-640	DDR2-640
2.2V、2T	DDR2-625	DDR2-670	DDR2-670

和前面那些DDR2-800规格的内存模组相比，PNY DDR2-667 1GB内存模组的超频表现毫不逊色，尤其是在975X平台上，这款产品在提高工作电压后成功突破DDR2-1000大关，即使是标准电压1.8V，它也有达到DDR2-800水平的良好表现。PNY DDR2-667 1GB内存模组在nForce 590 SLI上的超频测试也是在2.2V下完成，在这里它相对缺乏亮点，虽然能够勉强达到DDR2-667的标称，但也是在提高电压之后实现的。

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pqi DDR2-667 1GB 

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产品介绍

pqi已经在内存模组市场上拼杀多年，虽一直并不是十分重视中国大陆市场，但最近似乎开始有所动作。这是一对non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2-667 SDRAM内存模组，pqi的DDR2-900内存模组产品暂时还没有送到1GB的型号，因此只能用规格较低的DDR2-667产品参测。这款产品的PCB状况和上述大多数品牌的产品类似，非ECC型模组PCB设计，双rank、16颗芯片配置的规格，做工上乘。

产品标签注明了内存模组的型号、容量、速度和编号，缺少标准运行延迟信息。

内存芯片表面还是只能看到模组商pqi自己的Logo和和修改过的型号，芯片原生的基本信息无从知晓。

这款产品的SPD信息内容也有较多缺失，仅标注出了模组容量和速度，制造商等其他部分信息未注明。内存时序表部分设定完整，内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-9，DDR2-533时是4-4-4-12，DDR2-667为5-5-5-15，和市场大多数产品的主流水平相当。

超频能力

	3-3-3-8	4-4-4-12	5-5-5-15
on P5WD2-E Premium
1.8V	DDR2-500	DDR2-800	DDR2-833
2.2V	DDR2-583	DDR2-833	DDR2-850
on M2N32-SLI Deluxe
1.8V、1T	DDR2-520	DDR2-570	DDR2-616
1.8V、2T	DDR2-530	DDR2-560	DDR2-616
2.4V、1T	DDR2-550	DDR2-667	DDR2-667
2.4V、2T	DDR2-550	DDR2-733	DDR2-760

pqi DDR2-667 1GB内存模组的超频能力适中，能够在975X平台上达到超过DDR2-800的水平，并且拥有1.8V标准工作电压下、4-4-4-12时序运行在DDR2-800上的能力，这款内存性能特殊，在975X平台上需要使用2.2V电压超频，而nForce 590 SLI上则可以使用2.4V设定。在nForce 590 SLI平台上，pqi DDR2-667 1GB内存模组的超频表现一般，但也能够超过其标称频率，相对于测试中许多产品甚至无法达到标称的情况，也是值得肯定。

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SAMSUNG DDR2-667 1GB 

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产品介绍

三星（SAMSUNG）是少数在零售市场上出货原厂模组的DRAM制造商之一，作为DRAM制造的No.1企业，名称为三星金条的内存模组有着最为可靠的兼容性，相信大多数主板的设计阶段都会使用三星原厂模组进行验证。三星送侧了一对non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2-667 SDRAM内存模组，非ECC型模组PCB设计，双rank、16颗芯片配置的规格，PCB整体做工优秀用料十足，6层PCB上带有SAMSUNG的Logo。

产品标签注明了内存模组的型号、容量、速度、4位标准延迟、生产日期及生产地点，非常详细。

模组搭载了SAMSUNG自家的内存芯片，芯片编号为K4T51083QC，512Mbit规格，64Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。K4T51083QC使用60pin FBGA封装，标称速度未知，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V，这种最新的三星90纳米工艺FBGA封装DDR2 SDRAM芯片尺寸较早先的小。

DRAM大厂模组产品的SPD设定堪称业界的典范，所有信息均有翔实地描述，让人一目了然。内存时序表部分同样设定完整，内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-8，DDR2-533时是4-4-4-11，DDR2-667为5-5-5-13，稍好于平均水平。

超频能力

	3-3-3-8	4-4-4-12	5-5-5-15
on P5WD2-E Premium
1.8V	DDR2-460	DDR2-626	DDR2-810
2.4V	DDR2-475	DDR2-670	DDR2-833
on M2N32-SLI Deluxe
1.8V、1T	DDR2-460	DDR2-550	DDR2-667
1.8V、2T	DDR2-460	DDR2-600	DDR2-767
2.4V、1T	DDR2-460	DDR2-575	DDR2-670
2.4V、2T	DDR2-500	DDR2-667	DDR2-780

超频显然不是SAMSUNG DDR2-667 1GB内存模组所擅长的，但这款产品同样提供了足够的弹性，并且在两个平台的表现十分稳定均一，均能够达到其标称值，即使是严酷的nForce 590 SLI的1T Timing设定下，在975X平台，三星内存模组能够突破DDR2-800水平，达到了业内DDR2内存应用最高规格。

在此之前的九款内存模组均来自专门的模组制造商，它们并不生产内存芯片，生产形式是从DRAM制造商采购内存芯片来组装生产成型的内存模组，我们在零售市场上接触的内存产品大多是它们提供。此类产品的特点是售后服务好但缺乏产品性能的长期均一性，因为模组厂商经常会根据供货状况选择不同品牌的内存芯片制成模组，因此即使是同一品牌的同规格内存模组，也有可能有较大的性能差异，尤其表现在超频性能上。而这款SAMSUNG的DDR2-667产品是DRAM制造商自家生产的，理所当然，它都使用SAMSUNG自己出品的内存芯片，这类模组常会第一时间交付芯片组/主板研发商做各类测试并加以调整，通常来讲有较好的兼容性，不过这些内存产品在零售市场上较难买到。

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WINTEC DDR2-1000 1GB 

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产品介绍

WINTEC是来自于美国的超频型内存模组新秀，它的性能强化型产品被称作AMPX系列，此次拿到的正是这个系列的巅峰之作，在规格上与前面G.SKILL产品相同的DDR2-1000！带有黑色金属外壳的WINTEC DDR2-1000内存模组同为non-ECC unbuffered 240pin 1024MB型，双rank、16颗芯片配置的规格，虽然卡扣很好取下，但金属片粘贴的相当牢固，笔者仍旧没有强行取下它。

产品标签注明了内存模组的型号、容量和速度信息，缺少标准运行延迟，能够看到，这款产品在美国原厂组装。

这款产品的SPD信息内包含了模组容量、速度和制造商，其他部分信息未注明。内存时序表部分设定完整，内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-8，DDR2-533时是4-4-4-11，DDR2-800为5-5-5-16，这一部分并没有DDR2-1000下的信息，产品标称的DDR2-1000应该是超频获得。

超频能力

	3-3-3-8	4-4-4-12	5-5-5-15
on P5WD2-E Premium
1.8V	DDR2-713	DDR2-950	DDR2-1020
2.4V	DDR2-850	DDR2-1080	DDR2-1120
on M2N32-SLI Deluxe
1.8V、1T	DDR2-600	DDR2-700	DDR2-700
1.8V、2T	DDR2-670	DDR2-800	DDR2-860
2.4V、1T	DDR2-625	DDR2-700	DDR2-710
2.4V、2T	DDR2-860	DDR2-873	DDR2-960

WINTEC DDR2-1000 1GB内存模组是这十一款内存中的超频性能之王！在两个平台上都有上佳的表现并且对提高电压操作反应敏感。在975X平台的2.4V设定下，它们能够在4-4-4-12时序实现DDR2-1080，5-5-5-15时序则冲破DDR2-1000，极为强悍。比较而言，这款产品在nForce 590 SLI平台上的表现稍显逊色，没有达到其DDR2-1000的标称，不过就其SPD内的信息而言，已经是超水平发挥了。

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十一款内存超频能力汇总：Socket 775平台 

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975X Express主板平台最优化时序下表现优秀的是G.SKILL和WINTEC的产品，它们都能在2.4V电压下达到DDR2-850。

4-4-4-12是折中而均衡的设定，G.SKILL和WINTEC的DDR2-1000产品标称并非浪得虚名，同时貌不惊人的PNY产品也值得一提，它只是款DDR2-667。

冲击最高频率的终极设定，有四款产品突破了DDR2-1000，PNY DDR2-667 1GB也在其中。WINTEC DDR2-1000 1GB拿到了第一，记录是DDR2-1120。另外，即使是1.8V标准工作电压前提，参测的所有产品都能够以DDR2-800以上频率完成测试，一年半前那测试中还在努力冲破的目标，现在所有的内存都能够轻松到达。

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十一款内存超频能力汇总：Socket AM2平台 

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nForce 590 SLI平台上的3-3-3-8最优化时序2T Timing设定仍然是G.SKILL和WINTEC的DDR2-1000表现最好，同时ADATA、CORSAIR和PNY的内存在1T Timing下的频率上限也很不错。

4-4-4-12时序2T Timing下CORSAIR XMS2 PRO DDR2-800 1GB追赶上G.SKILL和WINTEC的DDR2-1000步入第一梯队，1T Timing下CORSAIR更是一支独秀。

Socket AM2系统的DDR2频率上限由CORSAIR产品创造，为2T Timing下的DDR2-970，没有突破DDR2-1000，和Socket 775系统相差甚远，同时即使在5-5-5-15 2T Timing设定的最劣时序条件，增加电压后也只有5款产品可以超过DDR2-800频率运行，不及参测内存的半数。

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DDR2内存不同频率、时序对系统性能的影响：Pentium 4 Extreme Edition 3.73GHz 

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NetBrust架构的Pentium 4 Extreme Edition 3.73GHz为单核心处理器，Prescott核心，1066MHz FSB，2MB L2 Cache，按照纸面理论，双通道的DDR2-533内存即能够满足这种处理器的内存带宽需求，即8.5GB/s，然而实际测试显示更高规格的内存仍然能够带来系统性能提升。

Pentium 4 Extreme Edition 3.73GHz on P5WD2-E Premium with Dual Channel Memory	DDR2-800@4-4-4-12	DDR2-667@4-4-4-12
EVEREST
Memory Read	8277 MB/s	8065 MB/s
Memory Write	5637 MB/s	5620 MB/s
Memory Copy	5995 MB/s	5500 MB/s
Memory Latency	73.4 ns	79.9 ns
PCmark05
Score	5515	5468
CPU	4752	4698
Memory	4958	4848
Sandra
Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Buffered	6632 MB/s	6415 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Buffered	6627 MB/s	6439 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Unbuffered	4139 MB/s	3702 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Unbuffered	4165 MB/s	3731 MB/s
SuperPI
8M	6'16"	6'22"
RazorLame with Lame
elapsed time	1'54"	1'56"
Xmpeg with DivX Pro
elapsed time	10'19"	10'24"
WinRAR
elapsed time	15'01"	15'54"
3Dmark06
1280*1024*32bit Overall	5473	5468
CPU score	1150	1147
DOOM3
1280*1024*32bit	111.8 fps	109.3 fps
Half-life2
1280*1024*32bit	138.5 fps	134.3 fps

使用相同时序设定4-4-4-12的DDR2-800和DDR2-667做性能对比，DDR2-800系统在内存带宽测试中大约有5%至10%的优势，在各类真实应用中，更高频率的内存系统带来的性能提升不到3%，只有WinRAR文件压缩表现得较为敏感，这在后面的多个测试中也有体现。

Pentium 4 Extreme Edition 3.73GHz on P5WD2-E Premium with Dual Channel Memory	DDR2-800@3-3-3-8	DDR2-800@4-4-4-12	DDR2-800@5-5-5-15
EVEREST
Memory Read	8304 MB/s	8277 MB/s	8200 MB/s
Memory Write	5643 MB/s	5637 MB/s	5634 MB/s
Memory Copy	6175 MB/s	5995 MB/s	5888 MB/s
Memory Latency	69.3 ns	73.4 ns	75.9 ns
PCmark05
Score	5608	5515	5489
CPU	4753	4752	4719
Memory	5023	4958	4913
Sandra
Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Buffered	6730 MB/s	6632 MB/s	6530 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Buffered	6730 MB/s	6627 MB/s	6533 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Unbuffered	4400 MB/s	4139 MB/s	3856 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Unbuffered	4447 MB/s	4165 MB/s	3875 MB/s
SuperPI
8M	6'12"	6'16"	6'20"
RazorLame with Lame
elapsed time	1'54"	1'54"	1'54"
Xmpeg with DivX Pro
elapsed time	10'15"	10'19"	10'20"
WinRAR
elapsed time	14'25"	15'01"	15'32"
3Dmark06
1280*1024*32bit Overall	5480	5473	5470
CPU score	1150	1150	1150
DOOM3
1280*1024*32bit	113.2 fps	111.8 fps	111.0 fps
Half-life2
1280*1024*32bit	140.8 fps	138.5 fps	135.2 fps

在相同DDR2频率而不同档次的三个时序设定下，各档次系统性能差距也并不明显，优化一档时序设定带来5%之内的带宽优势，真实应用能够获得2%不到的加速，WinRAR部分接近内存带宽提升比例，而音频压缩和3D GAME则相对提升较弱。

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 DDR2内存不同频率、时序对系统性能的影响：Core 2 Duo E6600

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Core 2 Duo处理器为最新的Core架构双核心产品，conroe核心，2.4GHz运行频率、1066MHzFSB，4MB共享式 L2 cache，理论上也只需双通道的DDR2-533内存即能够满足处理器的内存带宽需求。早先有境外测试显示conroe核心处理器对内存时序变化极不敏感，接下来的测试将验证这种观点的正确性。

Core 2 Duo on P5W DH Deluxe with Dual Channel Memory	DDR2-800@4-4-4-12	DDR2-667@4-4-4-12
EVEREST
Memory Read	6708 MB/s	6167 MB/s
Memory Write	4843 MB/s	4841 MB/s
Memory Copy	5252 MB/s	5028 MB/s
Memory Latency	61.2 ns	66.9 ns
PCmark05
Score	7327	7457
CPU	6320	6144
Memory	5412	5242
Sandra
Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Buffered	5607 MB/s	5285 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Buffered	5603 MB/s	5269 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Unbuffered	3734 MB/s	3275 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Unbuffered	3868 MB/s	3402 MB/s
SuperPI
8M	4'15"	4'22"
RazorLame with Lame
elapsed time	1'34"	1'34"
Xmpeg with DivX Pro
elapsed time	7'03"	7'07"
WinRAR
elapsed time	10'53"	11'40"
3Dmark06
1280*1024*32bit Overall	6514	6429
CPU score	2145	2141
DOOM3
1280*1024*32bit	175.5 fps	174.9 fps
Half-life2
1280*1024*32bit	226.6 fps	207.3 fps

首先仍旧是同时序不同频率内存配置的对比，内存带宽测试中，DDR2-800系统优于DDR2-667系统7%至12%，真实软件测试中这个数字大约是3%至10%，这两个幅度都优于前面的NetBrust架构处理器，尤其是WinRAR文件压缩测试和Half-Life2 3D GAME平均桢速率测试，DDR2-800系统优势达到10%，这是很惊人的结果。

Core 2 Duo on P5W DH Deluxe with Dual Channel Memory	DDR2-800@3-3-3-8	DDR2-800@4-4-4-12	DDR2-800@5-5-5-15
EVEREST
Memory Read	6862 MB/s	6708 MB/s	6546 MB/s
Memory Write	4843 MB/s	4843 MB/s	4843 MB/s
Memory Copy	5362 MB/s	5252 MB/s	5126 MB/s
Memory Latency	57.2 ns	61.2 ns	64.7 ns
PCmark05
Score	7356	7327	7299
CPU	6151	6320	6145
Memory	5484	5412	5346
Sandra
Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Buffered	5679 MB/s	5607 MB/s	5520 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Buffered	5674 MB/s	5603 MB/s	5516 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Int ALU Unbuffered	4014 MB/s	3734 MB/s	3464 MB/s
Memory Bandwidth Benchmark Memory Float FPU Unbuffered	4117 MB/s	3868 MB/s	3543 MB/s
SuperPI
8M	4'11"	4'15"	4'19"
RazorLame with Lame
elapsed time	1'34"	1'34"	1'34"
Xmpeg with DivX Pro
elapsed time	7'01"	7'03"	7'06"
WinRAR
elapsed time	10'25"	10'53"	11'25"
3Dmark06
1280*1024*32bit Overall	6564	6514	6426
CPU score	2177	2145	2143
DOOM3
1280*1024*32bit	177.9 fps	175.5 fps	174.2 fps
Half-life2
1280*1024*32bit	227.9 fps	226.6 fps	221.1 fps

内存时序的变化给conroe处理器带来的性能变化确实不如内存频率变化来的明显，内存带宽和真实应用两个部分的每档性能变化和前面的NetBrust架构处理器系统相似，尤其是玩家所关注的3D GAME应用中，优化内存时序带来的好处可以说是微乎其微。

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 DDR2内存不同频率、时序对系统性能的影响：Athlon64 FX-62

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Athlon64 FX-62处理器是目前AMD桌面最高等级的产品，它基于K8架构，双核心2.8GHz运行频率，1000MT/s系统总线，每个核心独享1MB L2 cache。虽然理论上3.2GB/s的内存带宽即可让K8处理器发挥威力，但早先的经验告诉我们，Athlon64处理器对内