频率、时序与超频！DDR2碰撞顶级平台
[文章
简介]
按照目前的状况看，DDR2 SDRAM内存的应用环境比我们估计的还要乐观，DDR2 SDRAM已经不是发烧、高价的代名词，而是从入门级到高端全面占据了市场 (20375 字)
按照目前的状况看，DDR2 SDRAM内存的应用环境比我们估计的还要乐观，DDR2 SDRAM已经不是发烧、高价的代名词，而是从入门级到高端全面占据了市场 (20375 字)
| 第12页： PNY DDR2-667 1GB |
产品介绍
PNY是活跃于欧美市场的PC配件产品零售商，产品涉及PC板卡等领域，也包括内存模组，这家厂商进入中国大陆市场时间不久，他们送测的是DDR2-667 1GB产品，如图所示，为一对non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2-667 SDRAM内存模组，内存的16片芯片贴装于PCB正反两面，非ECC模组型PCB设计成双rank规格。
产品标签注明了内存模组的型号、容量、速度和每根唯一的S/N编号，但缺少标准运行延迟信息。
内存芯片表面只能看到PNY的Logo和和修改过的型号，无法了解原本DRAM制造商提供的信息。
这款产品的SPD信息内容很少，仅标注出了模组容量和速度，制造商等其他部分信息未注明。内存时序表部分设定完整，内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-9，DDR2-533时是4-4-4-12，DDR2-667为5-5-5-15，为市场大多数产品的主流水平。
超频能力
| 3-3-3-8 | 4-4-4-12 | 5-5-5-15 | |
| on P5WD2-E Premium | |||
| 1.8V | DDR2-533 | DDR2-711 | DDR2-800 |
| 2.4V | DDR2-550 | DDR2-900 | DDR2-1020 |
| on M2N32-SLI Deluxe | |||
| 1.8V、1T | DDR2-550 | DDR2-590 | DDR2-590 |
| 1.8V、2T | DDR2-550 | DDR2-590 | DDR2-600 |
| 2.2V、1T | DDR2-625 | DDR2-640 | DDR2-640 |
| 2.2V、2T | DDR2-625 | DDR2-670 | DDR2-670 |
和前面那些DDR2-800规格的内存模组相比，PNY DDR2-667 1GB内存模组的超频表现毫不逊色，尤其是在975X平台上，这款产品在提高工作电压后成功突破DDR2-1000大关，即使是标准电压1.8V，它也有达到DDR2-800水平的良好表现。PNY DDR2-667 1GB内存模组在nForce 590 SLI上的超频测试也是在2.2V下完成，在这里它相对缺乏亮点，虽然能够勉强达到DDR2-667的标称，但也是在提高电压之后实现的。
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